一个小时之后，😺🆞鹿岛智树、曹飞他们参观返回办公大楼。一行人在听了余子贤有关光😖刻胶有可能断货情况的简要介绍之后，纷纷皱眉。
鹿岛智树也给大家简要介绍了一下有关光刻☲🃖胶的情况。
光刻📜🛪🟎胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三🇬种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。
利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移🗥🝲🏅到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，从而使光刻胶的溶解度发🁻生变化。
按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂🖱、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运🄍用到PCB板的制🔕🀞♞造，并于这☸几年开始运用到平板显示的加工制造。最终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，☲🃖耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中最核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利🅡用显影液溶解改🝈性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完对应的几何图形。
光刻技术随着芯片集成度的提升而不断发展。为了🖽😊⛒满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率。
世界芯片工艺水平此时已⚊跨入微纳米级别纳，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436n、i线（365n。目前🙖，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线两类光刻胶，而光刻胶核心技📵🟉术基本被曰本和美国企业所垄断。
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要🔖🀥⚟进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不📵🟉同等，不同的光刻过程对光刻胶的⚓具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需📳🞹求，是🍀🅁光刻胶制造商最核心的技术。
听着鹿岛智树🝌的介绍，余子贤也想🅇🄚♲到🙹了此时国内半导体材料的发展情况。
国内半导体光刻胶起步很晚，就算是有一些厂家和院所生产的光刻胶，技术水平非🀼🂈常落后🔕🀞♞，只能应用于一些研究院所的小批量使用。
就算是在🛧🞰20年后，半导体材料生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁💎🐱🃬垒产品产能极少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
更何谈1991年的此时。
“刚才，我已经让佟若愚联系金智江和郝萌他，尽快搞清楚到底是什么原因导致此🀼🂈次😖断货可能！”此时必须要搞清⛻☃☕楚原因，才能对症下药。
不过此时的余子贤依旧想不通，目前香积电才仅仅是调试阶段，就受到芯片制造材🀼🂈料😖的断🔕🀞♞供，这实在有点让人搞不明白！